在会议室里面，周晓东那是直接上手开始在白板上面开始画出了这种第三代TLC存储颗粒的内部架构电路图。

“为了提高闪存芯片的容量，我设计的这个闪存架构里面字线对应着三个读写单元，我们将电压分成八份，可以表示000001010011100101110111八种状态，最小的存储单元可以表示3个比特。”

在座的众多技术骨干都是技术经验丰富的芯片设计研发人员，在周晓东画出架构电路图后很快便明白了周晓东这种设计概念。

其实浮栅晶体管这种最基本的存储单元发展到现在结构和材料并没有发生太大的变化，往浮栅极里面注入不同数量的电子，将改变晶体管的阈值电压，不同的状态有不同的阈值电压，主控芯片可以通过在控制极加不同的参考电压来判断当前存储单元数据。

像S*LC架构的存储芯片将电压分为两种，而M*LC架构则是分为了四种，现在周晓东将电压分成了八种，这种架构的闪存芯片其实难度最大的地方是在主控芯片的编码算法上，难点尤其在读取数据是芯片如何非常高效快捷地通过加注参考电压通过晶体管的导通和截止状态来判断晶体管里面的数据。

这些研发闪存芯片产商最核心的技术其实就是这种编码算法，看谁用最少次数的电压尝试就能把数据给区分出来。

除了这个，擦除晶体管里面的数据需要加注另外一种电压，还要保证其它晶体管都是导通的，但是这个这种电压是比较大的，这样就会在浮栅极和衬底形成一个较强的电场，可能就把一些电子吸入浮栅极，随着数据读的次数越来越多，中间有些没有读到的晶体管中的浮栅极电子进入越来越多，这会导致里面数据状态发生变化，也就意味着数据出错。

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